RQ3G150GNTB

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

HSMT-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

30 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.1 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

24.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

20 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

16 S

立ち下がり時間：

11 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6.4 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

62.1 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16.8 ns

パーツ番号エイリアス：

RQ3G150GN

Tags

RQ3G, RQ3