STP30N10F7

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

32 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

24 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

19 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

50 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

STripFET

包装：

チューブ

シリーズ：

STP30N10F7

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

開発キット：

-

立ち下がり時間：

5.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

17.5 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

22 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

単位重量：

0.079014 oz

Tags

STP30N, STP30, STP3, STP