BSZ900N15NS3GATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSDSON-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Id-連続ドレイン電流：

13 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

74 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

38 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

3.3 mm

シリーズ：

OptiMOS 3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.3 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6 S

立ち下がり時間：

3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4 ns

パーツ番号エイリアス：

BSZ900N15NS3 BSZ9N15NS3GXT G SP000677866

単位重量：

0.001349 oz

Tags

BSZ900N1, BSZ9, BSZ