FGAF20N60SMD

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-3PF

取り付けスタイル：

スルーホール

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

600 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.9 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

40 A

Pd-消費電力：

62.5 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

シリーズ：

FGAF20N60SMD

包装：

チューブ

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

ゲートエミッタリーク電流：

400 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

360

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

0.245577 oz

Tags

FGAF2, FGAF, FGA