CSD87588NT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PTAB-5

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

25 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10.4 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.9 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

3.2 nC, 13.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

6 W

構成：

デュアル

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.48 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

CSD87588N

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

同期バックNexFETパワーステージ

幅：

2.5 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

43 S, 93 S

立ち下がり時間：

5 ns, 6.3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

31.6 ns, 36.7 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10.2 ns, 20.1 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.3 ns, 12.1 ns

Tags

CSD8758, CSD875, CSD87, CSD8, CSD