FQT1N60CTF-WS

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

11.5 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

QFET

包装：

リール

高さ：

1.8 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

FQT1N60C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

27 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

21 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns

パーツ番号エイリアス：

FQT1N60CTF_WS

単位重量：

0.003951 oz

Tags

FQT1N60CTF-W, FQT1N60CT, FQT1N60C, FQT1N6, FQT1N, FQT1, FQT