NVATS68301PZT4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ATPAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

31 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

57 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

55 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

84 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NVATS68301PZ

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

170 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

150 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

250 ns

典型的なターンオン遅延時間：

26 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NVAT, NVA