IMW120R045M1XKSA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1200 V

Id-連続ドレイン電流：

52 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

59 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 10 V, 20 V

Qg-ゲートチャージ：

52 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

228 W

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

IMW120R045

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

11.1 S

立ち下がり時間：

13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

24 ns

ファクトリーパックの数量：

240

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

パーツ番号エイリアス：

IMW120R045M1 SP001346254

Tags

IMW120R0, IMW12, IMW1, IMW