SI4501BDY-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V, 8 V

Id-連続ドレイン電流：

9.5 A, 6.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

17 mOhms, 27 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV, 450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V, 8 V

Qg-ゲートチャージ：

25 nC, 42 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

4.5 W, 3.1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SI4

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

29 S, 24 S

立ち下がり時間：

10 ns, 14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

55 ns, 18 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

22 ns, 34 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns, 22 ns

パーツ番号エイリアス：

SI4501BDY-GE3

単位重量：

0.019048 oz

Tags

SI4501B, SI4501, SI450, SI45, SI4