US6M1TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363T-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

1.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

170 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

1.4 nC, 2.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.77 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

US6M1

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.7 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1 S, 0.7 S

立ち下がり時間：

8 nS, 10 nS

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6 nS, 8 nS

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 nS, 25 nS

典型的なターンオン遅延時間：

6 nS, 9 nS

パーツ番号エイリアス：

US6M1

単位重量：

0.000265 oz

Tags

US6M1T, US6M1, US6M, US6