BFU725F/N1,115

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラ

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

40

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

2.8 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

0.55 V

連続コレクタ電流：

40 mA

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-343

包装：

リール

コレクター-ベース電圧VCBO：

10 V

DC電流ゲインhFEMax：

160 at 10 mA at 2 V

高さ：

1 mm

長さ：

2.2 mm

動作周波数：

55 GHz

タイプ：

RFバイポーラ小信号

幅：

1.35 mm

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

ゲイン帯域幅積fT：

55000 MHz

最大DCコレクタ電流：

0.04 A

Pd-消費電力：

136 mW

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

934063513115

単位重量：

0.000235 oz

Tags

BFU725F/N1,1, BFU725F/N, BFU725F, BFU72, BFU7, BFU