IMT1AT110

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

最大DCコレクタ電流：

0.15 A

ゲイン帯域幅積fT：

140 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

560

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

包装：

リール

幅：

1.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 150 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

300 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

IMT1A

Tags

IMT1AT11, IMT1AT, IMT1A, IMT1, IMT