STD2HNK60Z-1

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.8 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.75 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

11 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

45 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

SuperMESH

包装：

チューブ

高さ：

6.2 mm

長さ：

6.6 mm

シリーズ：

STD2HNK60Z-1

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

2.4 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.5 S

立ち下がり時間：

50 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STD2HNK60Z-1, STD2H, STD2, STD