ARF475FL

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

利得：

15 dB

出力電力：

900 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

箱

動作周波数：

150 MHz

動作温度範囲：

- 55 C to + 175 C

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3 mS

立ち下がり時間：

4 ns

Pd-消費電力：

910 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

立ち上がり時間：

4.1 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.3 V

Tags

ARF47, ARF4, ARF