EM6M2T2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 Ohms, 1.2 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

300 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4 V, - 4.5 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

EM6M2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

10 ns, 17 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns, 4 ns

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns, 17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns, 6 ns

パーツ番号エイリアス：

EM6M2

単位重量：

0.000106 oz

Tags

EM6M2T, EM6M2, EM6M, EM6