TK14G65W,RQ

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

13.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

220 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

35 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

130 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

10.4 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

TK14G65W

幅：

4.5 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

110 ns

典型的なターンオン遅延時間：

60 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

TK14G, TK14, TK1