SSM3J325F,LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-346-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

311 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

4.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

600 mW

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

SSM3J325

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

1.5 mm

ブランド：

東芝

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.4 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.000423 oz

Tags

SSM3J325, SSM3J32, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM