MBT3906DW1T2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 40 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 40 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.4 V

ゲイン帯域幅積fT：

250 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MBT3906DW1

DC電流ゲインhFEMax：

300

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 200 mA

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

MBT3906DW1T1G

単位重量：

0.000265 oz

Tags

MBT3906DW1, MBT3906D, MBT3906, MBT390, MBT39, MBT3, MBT