2SD2144STPV

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

25 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

12 V

最大DCコレクタ電流：

1 A

ゲイン帯域幅積fT：

350 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

820 at 10 mA, 3 V

高さ：

3 mm

長さ：

4 mm

包装：

弾薬パック

幅：

2 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

0.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

820

Pd-消費電力：

300 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SD2144ST, 2SD2144, 2SD214, 2SD21, 2SD2, 2SD