SH8M11TB1

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

3.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

70 mOhms, 70 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V, 2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

1.9 nC, 4.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

3 ns, 12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns, 18 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns, 35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4 ns, 9 ns

Tags

SH8M11T, SH8M11, SH8M1, SH8M, SH8