FCU360N65S3R0

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

IPAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

360 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

18 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

83 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

SuperFET3

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6 S

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns

ファクトリーパックの数量：

1800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

34 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

Tags

FCU3, FCU