DMN2004DWKQ-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

540 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

400 mOhms, 400 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

950 pC, 950 pC

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

200 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

DMN2004D

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

200 mS, 200 mS

立ち下がり時間：

10.5 ns, 10.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.3 ns, 7.3 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13.8 ns, 13.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.1 ns, 4.1 ns

Tags

DMN2004DW, DMN2004D, DMN2004, DMN200, DMN20, DMN2, DMN