FDMS3616S

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-56-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

16 A, 18 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.6 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

19 nC, 31 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.3 W, 1 W

構成：

デュアル

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

6 mm

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

63 S, 84 S

立ち下がり時間：

1.4 ns, 2.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.7 nS, 3 nS

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

19 nS, 24 nS

典型的なターンオン遅延時間：

7.7 nS, 9.5 nS

単位重量：

0.003175 oz

Tags

FDMS361, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM