FZT855TA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

150 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

250 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

355 mV

最大DCコレクタ電流：

10 A

ゲイン帯域幅積fT：

90 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

FZT855

DC電流ゲインhFEMax：

100

高さ：

1.65 mm

長さ：

6.7 mm

包装：

リール

幅：

3.7 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

15 at 5 A, 5 V

Pd-消費電力：

3 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.003951 oz

Tags

FZT855T, FZT855, FZT85, FZT8, FZT