SIHD2N80E-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

2.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.38 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

9.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

62.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

E

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

立ち下がり時間：

27 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

19 ns

典型的なターンオン遅延時間：

11 ns

単位重量：

0.011993 oz

Tags

SIHD2, SIHD, SIH