VS-GT100DA120UF

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

ダイオードパワーモジュール

タイプ：

IGBTモジュール

Vf-順方向電圧：

2.8 V

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-227-4

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

ブランド：

ビシェイ半導体

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

118 ns

Pd-消費電力：

890 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

立ち上がり時間：

55 ns

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

典型的なターンオフ遅延時間：

244 ns

典型的なターンオン遅延時間：

131 ns

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5.8 V

Tags

VS-GT100D, VS-GT100, VS-GT10, VS-GT1, VS-GT, VS-G