IXTP80N12T2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

タイプ：

Trench T2

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220AB-3

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

チューブ

構成：

独身

ブランド：

IXYS

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

28 ns

Id-連続ドレイン電流：

80 A

Pd-消費電力：

325 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

17 mOhms

立ち上がり時間：

14 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

商標名：

TrenchT2

典型的なターンオフ遅延時間：

39 ns

典型的なターンオン遅延時間：

21 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

120 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Tags

IXTP80N1, IXTP80, IXTP8, IXTP, IXT