BSH111BKR

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

55 V

Id-連続ドレイン電流：

210 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

0.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

364 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Trench MOSFET

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

4.8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8.4 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8.3 ns

単位重量：

0.000282 oz

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