STD4N62K3

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

620 V

Id-連続ドレイン電流：

3.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.95 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

3 V

Qg-ゲートチャージ：

14 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

70 W

構成：

独身

商標名：

MDmesh

包装：

リール

シリーズ：

STD4N62K3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

SuperMesh3 Power MOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STD4N6, STD4N, STD4, STD