IRFD120PBF

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

HVMDIP-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

1.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

270 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

16 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

1.3 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

3.37 mm

長さ：

6.29 mm

シリーズ：

IRFD

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.8 S

立ち下がり時間：

17 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

27 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.8 ns

Tags

IRFD120P, IRFD120, IRFD12, IRFD1, IRFD, IRF