SIHD1K4N60E-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

4.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.45 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

7.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

63 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

シリーズ：

E

トランジスタタイプ：

1 N-Channel E-Series Power MOSFET

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.8 S

立ち下がり時間：

22 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

23 ns

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

Tags

SIHD1, SIHD, SIH