DTA115EEBTL

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

独身

トランジスタの極性：

PNP

一般的な入力抵抗：

100 kOhms

典型的な抵抗比：

1

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

EMT-3F-3

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

82

最大動作周波数：

250 MHz

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

-

連続コレクタ電流：

- 100 mA

ピークDCコレクタ電流：

- 100 mA

Pd-消費電力：

150 mW

最低動作温度：

-

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

DTA115EEB

包装：

リール

エミッタ-ベース電圧VEBO：

-

出力電圧：

- 100 mV

ブランド：

ロームセミコンダクター

最大DCコレクタ電流：

- 100 mA

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

DTA115EEB

Tags

DTA115EE, DTA115E, DTA115, DTA11, DTA1, DTA