IXFZ140N25T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DE-475-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

250 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

17 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

255 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

445 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

3.18 mm

長さ：

23.11 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

18.8 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

80 S

立ち下がり時間：

22 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

29 ns

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

92 ns

典型的なターンオン遅延時間：

33 ns

単位重量：

0.105822 oz

Tags

IXFZ, IXF