SPD08P06P G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

8.83 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

230 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

- 13 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

42 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

SIPMOS

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

SPD08P06

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.5 S

立ち下がり時間：

14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

46 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

48 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

パーツ番号エイリアス：

SP000450534 SPD08P06PGBTMA1 SPD8P6PGXT

単位重量：

0.139332 oz

Tags

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