ECH8501-TL-H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ECH-8

トランジスタの極性：

NPN、PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

30 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

40 V, - 30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

75 mV, - 100 mV

最大DCコレクタ電流：

30 A

ゲイン帯域幅積fT：

260 MHz, 280 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

ECH8501

DC電流ゲインhFEMax：

560 at 500 mA, 2 V

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200 at 500 mA, 2 V

Pd-消費電力：

1.6 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000638 oz

Tags

ECH85, ECH8, ECH