DSS8110Y-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

120 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.2 V

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

DSS8110

DC電流ゲインhFEMax：

500

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

80

Pd-消費電力：

625 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000265 oz

Tags

DSS81, DSS8, DSS