TK10V60W,LVQ

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN8x8-5

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

9.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

380 mOhms

Pd-消費電力：

88.3 W

構成：

独身

商標名：

DTMOSIV

包装：

リール

高さ：

0.85 mm

長さ：

8 mm

シリーズ：

TK10V60W

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

8 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

Tags

TK10V60W,L, TK10V, TK10, TK1