BCW66HQTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

45 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

75 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.7 mV

最大DCコレクタ電流：

800 mA

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

630

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

800 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

250

Pd-消費電力：

350 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

BCW66H, BCW66, BCW6, BCW