R6030KNZC8

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3PF-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

30 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

115 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

56 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

86 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

スーパージャンクション-MOSKN

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10 S

立ち下がり時間：

50 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

65 ns

ファクトリーパックの数量：

360

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

100 ns

典型的なターンオン遅延時間：

35 ns

パーツ番号エイリアス：

R6030KNZ

単位重量：

0.000353 oz

Tags

R6030KNZ, R6030K, R6030, R603, R60