STD7N65M6

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

990 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.25 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

6.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

60 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

12.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.5 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

21.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.5 ns

Tags

STD7N65, STD7N6, STD7N, STD7, STD