MJD253-1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

IPAK-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.6 V

最大DCコレクタ電流：

4 A

ゲイン帯域幅積fT：

40 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MJD253

高さ：

2.38 mm

長さ：

6.73 mm

包装：

チューブ

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

4 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

40

Pd-消費電力：

12.5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

75

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.024727 oz

Tags

MJD25, MJD2, MJD