DMT6018LDR-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

V-DFN3030-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、NPN

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

8.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

13 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

13.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.9 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

3.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.6 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.5 ns

Tags

DMT601, DMT60, DMT6, DMT