PMN42XPEAH

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOP-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 20 V

Id-連続ドレイン電流：

- 5.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

46 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 1.25 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

17.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1310 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

Nexperia

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12.5 S

立ち下がり時間：

27 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

27 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

33 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns

Tags

PMN42XPEA, PMN42, PMN4, PMN