MCH6601-TL-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10.4 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

1.43 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

800 mW

構成：

デュアル

包装：

リール

シリーズ：

MCH6601

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

130 nS

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

55 nS

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

120 nS

典型的なターンオン遅延時間：

24 nS

単位重量：

0.000265 oz

Tags

MCH6601, MCH660, MCH66, MCH6, MCH