TSM260P02CX RFG

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

6.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

21 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

300 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

19.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.56 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

PチャネルパワーMOSFET

ブランド：

台湾積体電路

フォワード相互コンダクタンス-最小：

15 S

立ち下がり時間：

24.6 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

37.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

89.1 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10.4 ns

Tags

TSM260, TSM26, TSM2, TSM