STN1N20

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.5 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.9 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.8 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

STN1N20

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

3.5 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.7 S

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

単位重量：

0.003951 oz

Tags

STN1N2, STN1N, STN1, STN