FGA50N100BNTD2

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-3PN

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1000 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.5 V

最大ゲートエミッタ電圧：

25 V

25℃での連続コレクタ電流：

50 A

Pd-消費電力：

156 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

FGA50N100BNTD2

包装：

チューブ

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

ゲートエミッタリーク電流：

500 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

450

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

0.225789 oz

Tags

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