STE88N65M5

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ISOTOP-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

88 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

24 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

204 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

494 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

MDmesh

包装：

チューブ

シリーズ：

STE88N65M5

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

29 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16 ns

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

1 oz

Tags

STE8, STE