RFM01U7P(TE12L,F)

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

1 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

利得：

10.8 dB

出力電力：

1.2 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PW-Mini-3

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

520 MHz

シリーズ：

RFM01

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

東芝

Pd-消費電力：

3 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

単位重量：

0.001764 oz

Tags

RFM01U7P(T, RFM01U7P, RFM01U, RFM01, RFM0, RFM