UF3C065080T3S

製品属性

属性値

メーカー：

UnitedSiC

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

31 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

100 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

51 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

190 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

UF3C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

UnitedSiC

立ち下がり時間：

11 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

13 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

59 ns

典型的なターンオン遅延時間：

18 ns

Tags

UF3C0, UF3C, UF3